特許

J-GLOBAL ID：200903068114873585

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040141
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223530
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 高いスループットの半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン膜102の結晶化を助長する触媒元素の添加方法としてイオン注入法を利用する。この場合、触媒元素の添加領域107、108の占有面積を狭くしてTFTに活用しうる結晶シリコン膜の面積を増やせるので回路設計の自由度が増す。また、シリコン膜の結晶化工程と触媒元素のゲッタリング工程とを連続的に行うことでスループットを大幅に向上できる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜上に酸化膜を形成する工程と、イオン注入法により前記非晶質シリコン膜に対して選択的にシリコン膜の結晶化を助長する触媒元素を添加する工程と、加熱処理により前記非晶質シリコン膜を結晶化させる工程と、ハロゲン元素を含む雰囲気中における加熱処理により前記活性層中の前記触媒元素をゲッタリングする工程と、を少なくとも有する半導体装置の作製方法において、前記非晶質シリコン膜を結晶化させる工程と前記活性層中の触媒元素をゲッタリングする工程は同一加熱炉内で連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/322 X ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G