特許

J-GLOBAL ID：200903068114910979

超伝導細線の形成方法

発明者： 吉田 晃
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229830
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074988
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 結晶性の良い薄膜から超伝導線を形成できるようにして,超伝導臨界電流を大きく, 且つ配線形成を容易にする。【解決手段】 1)酸化物基板上に酸化物超伝導体膜を堆積し,該酸化物超伝導体膜をパターニングして超伝導細線を形成する第1工程と,該酸化物基板を該超伝導体細線から除去する第2工程とを含む,2)第1工程の後に,超伝導細線の回りを絶縁膜で被覆する工程を含む3)第1工程の後に,前記超伝導細線の回りを絶縁膜及び導体膜で被覆する工程を含む,4)第1工程の後に,前記酸化物基板を他の回路基板に貼り合わせる工程を含む,5)酸化物基板上に下層酸化物超伝導体膜と絶縁膜と上層酸化物超伝導体膜を順に堆積し,少なくとも該上層酸化物超伝導体膜をパターニングして超伝導細線を形成する第1工程と,該酸化物基板を該超伝導体細線から除去する第2工程とを含む。

請求項（抜粋）：

酸化物基板上に酸化物超伝導体膜を堆積し,該酸化物超伝導体膜をパターニングして超伝導細線を形成する第1工程と,次いで,該酸化物基板を該超伝導体細線から除去する第2工程とを含むことを特徴とする超伝導細線の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 39/02 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/06 ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00 ZAA

FI (7件)：

H01L 39/02 ZAA B ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/06 ,  H01L 39/24 ZAA F ,  H01P 3/08 ,  H01P 11/00 ZAA G