特許

J-GLOBAL ID：200903068116928913

ホスト-ゲスト錯体を含有する光電変換素子用材料

発明者： 池田 篤志 ,  新海 征治 ,  波多野 吏
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 筒井 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-177863
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022424
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】電子供与性化合物と電子受容性化合物をその本来の性質を損なうことなく、簡便に薄膜化して、光電変換素子として用いられるのに好適な新規な材料を提供する。【解決手段】導電性基板上に電子受容性化合物と電子供与性化合物とが積層されて構成される光電変換素子用材料において、電子受容性化合物および電子供与性化合物のそれぞれが、そのホスト-ゲスト錯体を形成して積層されているようにする。好ましい態様として、電子受容性のフラーレンがカリックスアレーンと錯体を形成するとともに、電子供与性のポルフィリンがシクロデキストリンと錯体を形成するように構成することによって、光電変換性能の優れた材料が得られる。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

導電性基板上に電子受容性化合物と電子供与性化合物とが積層されて構成される光電変換素子用材料であって、前記電子受容性化合物および前記電子供与性化合物のそれぞれが、そのホストとホスト-ゲスト錯体を形成して積層されていることを特徴とする光電変換素子用材料。

IPC (4件)：

H01M14/00 ,  C08F220/54 ,  C08F230/04 ,  H01L31/04

FI (4件)：

H01M14/00 P ,  C08F220/54 ,  C08F230/04 ,  H01L31/04 Z

Fターム (18件)：

4J100AM21P ,  4J100AM21Q ,  4J100BA56P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC65Q ,  4J100CA04 ,  4J100JA32 ,  5F051AA14 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS09 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20 ,  5H032HH01