特許

J-GLOBAL ID：200903068128684580

銅めっき方法及び銅めっき液

発明者： 大久保 利一 ,  関口 淳之輔
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093851
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274107
出願日： 1998年03月24日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 半導体配線材料として使用される銅を電気銅めっきにより形成する際析出銅の不純物による特性劣化をなくし、制御された銅結晶形態を得ること。【解決手段】 半導体ウェハー1上に電気銅めっきにより銅析出を行うための方法において、塩素濃度0.5mg/L以下の電気銅めっき液3を用いることを特徴とする銅めっき方法。半導体ウェハー上に電気銅めっきにより銅析出を行うための銅めっき液において、塩素濃度を0.5mg/L以下としたことを特徴とする銅めっき液。電気銅めっき液は、代表的には、硫酸銅:銅として0.1〜100g/L、硫酸:0.1〜500g/Lそして残部が水の組成を有する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハー上に電気銅めっきにより銅析出を行うための方法において、塩素濃度0.5mg/L以下の電気銅めっき液を用いることを特徴とする銅めっき方法。

IPC (3件)：

H01L 21/288 ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18

FI (3件)：

H01L 21/288 Z ,  C25D 3/38 ,  C25D 5/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 印刷回路用銅箔の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-349504   出願人：株式会社ジャパンエナジー