特許

J-GLOBAL ID：200903068129271310

半導体装置

発明者： 岩崎 靖和
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-143206
公開番号（公開出願番号）：特開平7-015027
出願日： 1993年06月15日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 素子領域内部の走行領域へ入射光強度を減衰させることなく,その入射光を導いて短波長側での感度低下を防止し,半導体装置の高感度化および高帯域化を図る。【構成】 走行領域において電子-正孔対を生成する入射光を,埋込酸化膜102(光導波路)により走行領域に導き,バンドギャップエネルギー以下の入射光に対して光学窓を開口させ,入射光強度の減衰による短波長側における感度の低下を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体材料により構成された半導体装置において,前記半導体装置が,その素子領域内部に光を導く光導波路を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/107 ,  H01L 31/111

FI (4件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C ,  H01L 31/10 B ,  H01L 31/10 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-283080
  
• 特開昭56-038864