特許
J-GLOBAL ID：200903068130004120
多層セラミック回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-340119
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181450
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】導体膜厚が厚くなるとそれにより発生する段差の影響で絶縁層間の密着が不充分となるという問題があった。【解決手段】複数の絶縁層成形体を積層し、所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体を作製し、該積層成形体を焼成する多層セラミック回路基板の製造方法であって、内部配線パターンが、絶縁層成形体に形成された内部配線用貫通溝内に導電性ペーストを充填して形成されている方法であり、絶縁層成形体が、セラミックからなる絶縁層材料、光硬化可能なモノマー、有機バインダを含有するスリップ材を薄層化し乾燥してなり、内部配線パターンが、絶縁層成形体の表面を露光処理した後現像処理して形成された内部配線用貫通溝内に導電性ペーストを充填して形成されている方法である。
請求項（抜粋）：
複数の絶縁層成形体を積層してなるとともに、所定位置に内部配線パターンが形成された積層成形体を作製した後、該積層成形体を焼成する多層セラミック回路基板の製造方法であって、前記積層成形体が、複数の絶縁層成形体の所定位置に、内部配線パターン状の貫通溝が形成され、該貫通溝内に導電性ペーストが充填されたパターン用絶縁層成形体を介装して形成されていることを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
FI (2件)：
H05K 3/46 H
, H05K 3/46 N
