特許

J-GLOBAL ID：200903068130679420

磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび記録再生装置

発明者： 中谷 亮一 ,  大友 茂一 ,  杉田 愃
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-338640
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175572
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】磁気抵抗効果素子10におけるバルクハウゼンノイズを抑止するために、多層構造を有する磁気抵抗効果膜7の磁化容易方向もしくは磁界検出方向と直角の方向にバイアス磁界を印加した。バイアス印加する方法としては、永久磁石層8を多層膜の端部に積層する方法などを採用した。さらに、上記磁気抵抗効果素子10を磁気センサ、磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置に適用した。【効果】本発明の多層膜からなる磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子は、バルクハウゼンノイズが発生することなく、この磁気抵抗効果素子を使用した磁気ヘッドは優れた再生特性を示した。また、上記磁気ヘッドを磁気記録再生装置に搭載することにより高性能の磁気記録再生装置が得られた。

請求項（抜粋）：

磁性層と非磁性層とを積層した多層膜からなる磁気抵抗効果膜を用いて構成した磁気抵抗効果素子において、上記多層膜からなる磁気抵抗効果膜の磁化容易方向もしくは磁界検出方向に対して直角の方向に、バイアス磁界を印加する手段を少なくとも設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/02 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-010997
  
• 特開平3-025714
  
• 特開昭64-082312
  
• 特開平3-269814