特許

J-GLOBAL ID：200903068132421322

セラミック多層配線基板およびその製造方法

発明者： 田中 一成 ,  谷藤 望 ,  中田 好和
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス ,  住友金属工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-088571
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250859
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 セラミック多層配線基板用の後付け導体の形成方法として、その位置精度に優れ、かつ細線化可能なパターン構造および形成方法であって、さらにその際の導電性ならびに接合強度を確保するとともに、メッキ付性や半田濡れ性等を損なわないセラミック多層配線基板を提供する。【構成】 Wまたは/およびMoを主成分とする配線導体層を内蔵したセラミック多層基板の表面に配した導体配線として、Cuを主成分とする金属の表面導体層部の下層に、Wまたは/およびMo40〜90wt%とIr、Pt、Ti、Crの1種または2種以上の10〜60wt%の中間導体層を設ける構成よりなる。

請求項（抜粋）：

Wまたは/およびMoを主成分とする配線導体層を内蔵したセラミック多層基板の表面に配した導体配線として、Cuを主成分とする金属の表面導体層部の下層に、Wまたは/およびMo40〜90wt%とIr、Pt、Ti、Crの1種または2種以上の10〜60wt%の中間導体層を設けてなることを特徴とするセラミック多層配線基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 ,  H05K 1/09

FI (3件)：

H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 H ,  H05K 1/09 A