基板メッキ装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：熊谷隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205138
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154653
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体ウェハー等の基板面上に形成された微細溝及び/又は微細穴からなる配線部に配線層を形成するメッキ装置。【解決手段】基板を収容したカセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリア20と、メッキ処理を行うメッキエリア30と、メッキ処理後の基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア40を具備し、洗浄・乾燥エリア40は搬入・搬出エリア20とメッキエリア30の間に配置され、搬入・搬出エリア20と洗浄・乾燥エリア40との間に隔壁21、洗浄・乾燥エリア40とメッキエリア30との間に隔壁23を設け、隔壁には隔壁で隔てられた両エリアに前記基板を受け渡すための通路を設けた、基板にメッキを施す基板メッキ装置。

請求項（抜粋）：

基板にメッキを施す基板メッキ装置であって、該メッキ装置は基板を収容したカセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリアと、メッキ処理を行うメッキエリアと、メッキ処理後の基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリアを具備し、前記洗浄・乾燥エリアは前記搬入・搬出エリアと前記メッキエリアの間に配置され、前記搬入・搬出エリアと前記洗浄・乾燥エリアの間、前記洗浄・乾燥エリアと前記メッキエリアの間にはそれぞれ隔壁を設け、該隔壁には該隔壁で隔てられた両エリアに前記基板を受け渡すための通路を設けたことを特徴とする基板メッキ装置。

IPC (3件)：

H01L 21/288 , C25D 19/00 , H01L 21/304 651

FI (3件)：

H01L 21/288 E , C25D 19/00 B , H01L 21/304 651 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

ウエハ洗浄及び拡散システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-309302 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
ウエハ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-023260 出願人：ヤマハ株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-358885 出願人：日本電気株式会社

前のページに戻る