特許

J-GLOBAL ID：200903068138191426

反射型又は半透過反射型の電気光学装置、これを用いた電子機器並びにその製造方法

発明者： 増澤 明徳
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260507
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083504
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 TFD(薄膜ダイオード)アクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型又は反射型の液晶装置において、製造プロセスにおける工程数の削減、各画素における高開口率化、狭画素ピッチによる高精細化、反転駆動におけるフリッカの低減及び対向電極と画素電極との間におけるショート防止を図る。【解決手段】 TFDアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型又は反射型の液晶装置は、TFDアレイ基板(10)上の液晶層(50)に面する側に、同一の第1金属膜からなる画素電極(62)及びTFD(40)の第1電極(42a)がパターンニング形成されており、これらの上には、第1金属膜が陽極酸化されてなる絶縁膜(12)が形成されている。TFDにおけるこの絶縁膜上には、第2金属膜からなる第2電極(46a)がパターンニング形成されている。

請求項（抜粋）：

一対の第1及び第2基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第1基板上に、導電性且つ光反射性の第1金属膜からなる第1電極、前記第1金属膜の表面が陽極酸化されてなる絶縁膜及び該絶縁膜上に形成された導電性の第2金属膜からなる第2電極を有する薄膜ダイオードと、前記第1金属膜と同一膜からなり前記第1電極に接続された配線と、前記第1金属膜と同一膜からなり前記第1電極及び前記配線から分離されていると共に前記薄膜ダイオードに前記第2電極側で接続されており表面に前記絶縁膜と同一膜が形成された画素電極とを備えたことを特徴とする電気光学装置。

IPC (4件)：

G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1365 ,  G09F 9/00 333 ,  G09F 9/30 349

FI (4件)：

G02F 1/1335 520 ,  G09F 9/00 333 Z ,  G09F 9/30 349 D ,  G02F 1/136 505

Fターム (38件)：

2H091FA14Z ,  2H091FA15Z ,  2H091LA12 ,  2H091LA17 ,  2H092GA43 ,  2H092JA03 ,  2H092JB07 ,  2H092JB12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA17 ,  2H092MA24 ,  2H092NA13 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  5C094BA03 ,  5C094BA04 ,  5C094BA43 ,  5C094BA48 ,  5C094CA19 ,  5C094DB01 ,  5C094EA06 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5G435AA01 ,  5G435BB12 ,  5G435BB16 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09