特許

J-GLOBAL ID：200903068140760802

半導体受光素子の製造方法

発明者： 深野 秀樹 ,  湯田 正宏
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-107377
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307804
出願日： 1998年04月17日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 ウエハより素子を切り出す際、歩留まりよく光入射端近傍で劈開することのできる製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板15上の表面に形成された光受光層13を含む半導体多層構造よりなる受光部分と、端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面11を設けることにより、該光入射端面11で入射光を屈折させて、入射光が前記光受光層13を層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子の製造において、光入射端面11形成のための逆メサエッチング溝形成工程後に、該光入射端面11の上辺からエッチング溝の最底面までの深さをH、劈開キズの深さをHcとし、劈開キズを形成するための針の先端部開き角を2δとした時に、逆メサエッチング溝上端の溝幅2Wが、2W≦2(H+Hc)tan δであるようにした。

請求項（抜粋）：

基板上の表面に形成された光受光層を含む半導体多層構造よりなる受光部分と、端面に表面側から離れるに従い内側に傾斜した光入射端面を設けることにより、該光入射端面で入射光を屈折させて、入射光が前記光受光層を層厚方向に対し斜めに通過するようにした屈折型半導体受光素子の製造において、光入射端面形成のための逆メサエッチング溝形成工程後に、該光入射端面の上辺からエッチング溝の最底面までの深さをH、劈開キズの深さをHcとし、劈開キズを形成するための針の先端部開き角を2δとした時に、逆メサエッチング溝上端の溝幅2Wが、2W≦2(H+Hc)tan δであることを特徴とする半導体受光素子の製造方法。