特許

J-GLOBAL ID：200903068141108335

半導体素子の製造方法

発明者： 下西 弘二 ,  江口 勇司
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-227834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110672
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の製造工程における低誘電率層間絶縁薄膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理を行う方法を用いる製造方法の提供。【解決手段】 半導体素子における低誘電率層間絶縁薄膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体素子における低誘電率層間絶縁薄膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/515 ,  H01L 21/31 C

Fターム (40件)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA36 ,  4K030BA45 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA11 ,  4K030JA14 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045CB05 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP22 ,  5F045EB02 ,  5F045EF02 ,  5F045EH05 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EM10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BJ02