特許

J-GLOBAL ID：200903068141941916

EMIシミュレーション用LSI電源系モデル及びEMIシミュレータ

発明者： 入野 仁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-310049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-137742
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】LSIの電源電流は多くの高周波成分を含んでいるため、これにより発生する放射電磁界をシミュレーションすることが重要である。しかし、LSI内部の回路規模は膨大であるため、電源電流による放射電磁界をシミュレーションすることは計算量が大きく困難である。【解決手段】LSI電源電流波形よりLSIを1個の可変抵抗、もしくはトランジスタとしてモデル化する。この抵抗値は電源端子の電圧および時間によって変化し、対象となるLSIの電源系と同様の挙動を示す。これにより、小さい計算量で電源系から発生する電磁界を正確にシミュレーションすることができる。また電源電流波形からモデルを作成するため、LSIメーカーはLSI内部の回路情報などの機密情報を他に漏洩することなくユーザーにモデルを提供することができる。

請求項（抜粋）：

時間、電源電圧に応じてLSI電源系の抵抗値が変化することを特徴とするEMIシミュレーション用LSI電源系モデル。

IPC (2件)：

G06F 17/50 ,  H05K 9/00

FI (2件)：

G06F 15/60 666 P ,  H05K 9/00 Z

Fターム (6件)：

5B046AA08 ,  5B046BA05 ,  5B046JA04 ,  5B046JA10 ,  5B046KA06 ,  5E321GG05