特許
J-GLOBAL ID：200903068147148614
磁気抵抗効果ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117236
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312512
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 例えば高飽和磁化のCo含有磁性層を有する感磁層を用いたスピンバルブタイプの磁気抵抗効果ヘッドにおいて、例えば狭トラック化した場合におけるバルクハウゼンノイズの発生を有効に抑制する。【解決手段】 例えばCo含有磁性層を含む感磁層15を有するスピンバルブGMR膜14と、このスピンバルブGMR膜14にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加膜21とを有するGMRヘッドである。バイアス磁界印加膜21は、磁性下地層22と、その上に形成された硬磁性層23との積層膜により構成されており、硬磁性層23は磁性下地層22を介してスピンバルブGMR膜14の端部と隣接している。磁性下地層22は、感磁層の飽和磁化Msfreeおよび硬磁性層の飽和磁化Mshardに対して、Msseed≧MsfreeおよびMsseed≧Mshardの少なくとも一方を満足する飽和磁化Msseedを有している。
請求項（抜粋）：
外部磁界により磁化方向が変化する感磁層と、前記感磁層上に順に積層形成された非磁性層および磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜と、磁性下地層と、前記磁性下地層上に積層形成され、かつ前記磁性下地層を介して前記磁気抵抗効果膜の端部と隣接する硬磁性層とを有するバイアス磁界印加膜と、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極とを具備し、前記磁性下地層の飽和磁化をMsseed、前記感磁層の飽和磁化をMsfreeとしたとき、前記磁性下地層はMsseed≧Msfreeの関係を満足することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
引用特許：
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