特許

J-GLOBAL ID：200903068155863411

半導体発光素子

発明者： 山本 悌二 ,  稲井 誠
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-176640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021508
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 発光波長の選択性を向上させることができるとともに、従来に比較して高い発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 平坦部間に斜面部が形成されるように段差を形成した化合物半導体基板上に、結晶成長法によって活性層となる多重量子井戸層、半導体超格子型井戸層、又は障壁層部分のみに両性不純物をドープした化合物半導体層を形成し、その上に化合物半導体にてなるコンタクト層を形成することによって、上記段差によって形成される上記活性層の平坦部と斜面部との間において伝導型の違いで横方向のp-n接合を形成した。

請求項（抜粋）：

平坦部間に斜面部が形成されるように段差を形成した化合物半導体基板上に、結晶成長法によって活性層となる多重量子井戸層、半導体超格子型井戸層、又は障壁層部分のみに両性不純物をドープした化合物半導体層を形成し、その上に化合物半導体にてなるコンタクト層を形成することによって、上記段差によって形成される上記活性層の平坦部と斜面部との間において伝導型の違いで横方向のp-n接合を形成したことを特徴とする半導体発光素子。