特許

J-GLOBAL ID：200903068171162571

ICP源でのコイルのスパッタリング減少方法

発明者： ゼン スー ,  フーセン チェン ,  ハイム ヌルマン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-285718
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130834
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：

【要約】【課題】 室内でプラズマを発生し、層をスパッタ堆積するための改善された方法と装置。【解決手段】 半導体製造装置内でプラズマ室(100) のRFコイル(104) のスパッタリングを減らす磁気シールドが提供される。磁気シールドはまた、コイル上への材料の堆積を減らし、その結果コイルにより試料上に落ちる微粒子物質を減らす。

請求項（抜粋）：

材料を試料上にスパッタするため、半導体製造装置内でプラズマにエネルギーを与える装置において、プラズマ発生領域を内部に有する半導体製造室、前記室に支持され、前記プラズマ発生領域にエネルギーを結合するコイル、及び、前記コイルから前記試料上へのスパッタリングを減少するように配置された磁場の配列を有することを特徴とする装置。

IPC (4件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/35 C ,  C23C 14/34 T ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S