特許

J-GLOBAL ID：200903068173163753

光電変換量検出方法および光電変換装置、画像入力方法および画像入力装置、2次元イメージセンサおよび2次元イメージセンサの駆動方法

発明者： 上原 和弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (4件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201303
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047618
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】フォトセンサを構成する画素構造を簡素化することで、高解像度化が可能で、且つ製造プロセスの簡略化が可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】感光性半導体層を有するフォトトランジスタ7と、上記フォトトランジスタ7のドレイン電極Dに接続された補助容量17とを有するセンサ基板20と、上記フォトトランジスタ7のソース電極Sに接続され、上記センサ基板20による光電変換量を検出する検出IC25とを備える。上記補助容量17には、所定量の電荷が充電されると共に、上記フォトトランジスタ7が非導通状態のときに上記感光性半導体層への光照射により生じる電荷が充電され、上記検出IC25は、上記補助容量17の電荷に基づいて、上記センサ基板20の光電変換量を検出する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

感光性半導体層を有する薄膜トランジスタを含む光電変換素子の光電変換量を検出する光電変換量検出方法において、 上記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された補助容量に電荷を所定量充電し、 上記補助容量への所定量の電荷の充電完了後に、上記薄膜トランジスタを非導通状態にして上記感光性半導体層に光を所定時間照射し、 上記感光性半導体層に光を所定時間照射した後に、上記補助容量の電荷に基づいて、上記光電変換素子の光電変換量を検出することを特徴とする光電変換量検出方法。

IPC (3件)：

H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 C ,  H04N5/335 E ,  H01L29/78 614 ,  H01L29/78 613Z

Fターム (38件)：

4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118FC02 ,  4M118GA02 ,  4M118GA03 ,  4M118HA21 ,  4M118HA22 ,  4M118HA27 ,  5C024CX37 ,  5C024HX02 ,  5C024HX05 ,  5C024HX29 ,  5C024HX35 ,  5C024HX50 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110NN01 ,  5F110NN73