特許

J-GLOBAL ID：200903068175282601

陰極アーク放電を用いた成膜装置

発明者： 中津 治 ,  高見 芳夫
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043598
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241927
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：

【要約】【課題】 時間的に変動するアークの位置を検出し、そのアークの位置を制御することによって、ターゲット表面が均一に消費される成膜装置の提供。【解決手段】 コイル60a〜60dおよび位置制御コイル70a〜70dを、ターゲット11の中心Oを通るz軸に関して回転対称に配設する。陽極チャンバ12とターゲット11との間にアークAが発生したとき、検出回路61は、アーク検出コイル60a〜60dの出力信号に基づいてアークAの位置を検出する。制御装置5は検出回路61の検出位置情報に基づいて位置制御コイル70a〜70dに供給される励磁電流を調節して、アークAをアークA2の位置へ移動させる。位置制御コイル70a〜70dの励磁電流を制御してターゲット11の表面上におけるアークA2の発生分布を均一にすることにより、成膜時のターゲット11表面の消費を均一にすることができる。

請求項（抜粋）：

陰極を構成するターゲットと陽極との間にアーク放電を発生させて前記ターゲットのイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを基板上に照射して成膜する成膜装置において、アーク放電により発生する磁場を検出して、前記ターゲット上におけるアークの位置を検出するアーク位置検出装置を備えることを特徴とする成膜装置。

Fターム (5件)：

4K029BA34 ,  4K029BD11 ,  4K029DD06 ,  4K029EA00 ,  4K029EA09