特許

J-GLOBAL ID：200903068179507608

半導体装置

発明者： 加藤 健二 ,  斉藤 豊 ,  新荻 正隆 ,  佐藤 恵二 ,  小島 芳和 ,  小山内 潤
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-166867
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057350
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン基板上のショットキーバリアダイオードをブリッジ型に4つ組み合わせた半導体装置の各ショットキーバリアダイオードの電圧-電流特性における順方向の立ち上がり電圧が小さく、低電圧低消費電力低コストの装置の提供。【解決手段】 各ショットキーバリアダイオードをメサ状に形成し、各ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部に高抵抗ポリシリコンや10Å以下の酸化膜や複数の中間遷移準位を形成する。またショットキーバリアダイオードに代わってMOSトランジスタを組み合わせた構成とする。半導体装置とアンテナと電源回路とセンサまたはインジゲータまたはメモリからなる装置を構成する。

請求項（抜粋）：

支持基板上に電気的に分離した複数の半導体基板を有し、前記半導体基板がショットキー接合と、前記ショットキー接合と電気的に接続したオーミック接合とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/48 F ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 27/04 F ,  H01L 29/78 613 Z

Fターム (56件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104EE02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  5F038AR01 ,  5F038AV04 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ04 ,  5F038BG04 ,  5F038BG05 ,  5F038CA16 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA00 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BE04 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE24 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG47 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110NN63 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ17