特許
J-GLOBAL ID:200903068180910211
超高真空用永久磁石およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
押田 良久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-281542
公開番号(公開出願番号):特開平10-106815
出願日: 1996年10月01日
公開日(公表日): 1998年04月24日
要約:
【要約】【課題】 被膜の密着性に優れ、緻密で、磁石体からのガス発生、放出を防止でき、1×10-9Pa以下の超高真空雰囲気のアンジュレーター等に使用可能な高磁気特性を有した超高真空用永久磁石の提供。【解決手段】 Fe-B-R系永久磁石体表面をイオンスパッター法等により清浄化した後、前記磁石体表面にイオンプレーティング法等の薄膜形成法によりTi被膜を形成後、このTi被膜上にイオンプレーティング等の薄膜形成法によりAl被膜を形成し、さらにAl被膜上にN2含有ガス中にてイオン反応プレーティング等の薄膜形成法を行って、Ti1-xAlxN被膜を形成することにより、磁石に付着あるいは吸蔵するガスの発生を防止することができ、磁石の有する高磁気特性を有効に利用できる。
請求項(抜粋):
主相が正方晶相からなるFe-B-R系永久磁石体表面に形成された膜厚0.1μm〜3.0μmのTi被膜上に、膜厚0.1μm〜5μmのAl被膜を介して膜厚0.5μm〜10μmのTi<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>N(但し、0.03<x<0.70)被膜層を有する超高真空用永久磁石。
IPC (5件):
H01F 1/04
, C22C 38/00 303
, C23C 14/06
, H01F 7/02
, H01F 41/02
FI (5件):
H01F 1/04
, C22C 38/00 303 D
, C23C 14/06 A
, H01F 7/02 Z
, H01F 41/02 G
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