特許

J-GLOBAL ID：200903068190412260

半導体レーザおよびその製造方法ならびに半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法ならびに半導体構造体およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法ならびに構造体およびその製造方法

発明者： 浅野 竹春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110343
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304021
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】 基板の劈開性が乏しい場合においても、劈開により形成される共振器端面あるいは端面の平坦性を良好にする。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体レーザを製造する場合において、窒化物系III-V族化合物半導体層2、3を異種基板、例えばサファイア基板1上に成長させた後、窒化物系III-V族化合物半導体層2、3のうち共振器端面の形成位置の近傍の部分を紫外レーザ光の照射により基板1から剥離させる。その後、窒化物系III-V族化合物半導体層2、3を基板1とともに劈開することにより共振器端面を形成する。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体層がこの窒化物系III-V族化合物半導体層と異なる物質からなる基板上に積層され、上記窒化物系III-V族化合物半導体層に劈開により共振器端面が形成された半導体レーザにおいて、上記窒化物系III-V族化合物半導体層のうちの上記共振器端面の近傍の部分が上記基板から剥離していることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35