特許

J-GLOBAL ID：200903068196459536

透明導電膜およびその製造方法

発明者： 東福 淳司 ,  石井 千草 ,  足立 健治
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276809
公開番号（公開出願番号）：特開平9-086967
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】 CRT画面の表示反射を抑制する機能を持ち、かつ従来よりも優れた導電性を有することにより電界シールドに適切な膜を、塗布法を用いて簡便かつ低コストに提供する。【解決手段】 ガラス基板上に形成された透明導電膜であって、膜厚が0.31μm以上0.62μm以下であり、膜主要部が粒径80nm以下のITO微粒子がシリケートマトリックス中に分散した層であり、膜主要部においてITO層とシリケート層との間に明確な境界がないよう形成した透明導電膜。【効果】 本発明により得られた透明導電膜をガラス基板上に形成することにより、低い表面抵抗をもってかつ表面反射の低い膜を、低コスト、低温度焼成で得ることが可能である。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成された透明導電膜であって、膜厚が0.31μm以上0.62μm以下であり、膜主要部が粒径80nm以下のITO微粒子がシリケートマトリックス中に分散した層であり、膜主要部においてITO層とシリケート層との間に明確な境界がないよう形成されたことを特徴とする透明導電膜。

IPC (8件)：

C03C 17/42 ,  C03C 17/30 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/20 ,  H01J 9/24 ,  H01J 29/88 ,  H05K 9/00

FI (8件)：

C03C 17/42 ,  C03C 17/30 Z ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H01J 9/20 A ,  H01J 9/24 A ,  H01J 29/88 ,  H05K 9/00 S