特許

J-GLOBAL ID：200903068196521002

排ガスの高度処理方法

発明者： 斉藤 純 ,  三ツ石 隆俊 ,  脇 浩 ,  宮川 博治 ,  網田 裕茂
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018647
公開番号（公開出願番号）：特開平5-269347
出願日： 1983年12月08日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：

【要約】【構成】 半導体装置から排出され、シラン系ガスとともにホスフイン、ジボランまたはアルシンを含有するシラン系排ガスを、固体金属酸化物を主成分とする充填層を通過せしめ、該シラン系ガス濃度を少なくとも0.5ppm以下にまで効率よく除去するとともに、ホスフイン、ジボランまたはアルシンを、該シラン系ガスとともに除去する、ホスフイン、ジボランまたはアルシンを含有するシラン系排ガスの高度処理方法。【効果】 ドーパントたるホスフイン、ジボランまたはアルシンを含有する半導体製造用シラン系ガスの排ガスを、固体金属酸化物を主成分とする充填層を通過せしめて接触処理する高度排ガスの処理方法が提供される。

請求項（抜粋）：

半導体装置から排出され、シラン系ガスとともにホスフイン、ジボランおよび/またはアルシンを含有するシラン系排ガスを、固体金属酸化物を主成分とする充填層を通過せしめ、該シラン系ガス濃度を少なくとも0.5ppm以下にまで効率よく除去するとともに、ホスフイン、ジボランおよび/またはアルシンを、該シラン系ガスとともに除去する、ホスフイン、ジボランおよび/またはアルシンを含有するシラン系排ガスの高度処理方法。

IPC (4件)：

B01D 53/36 ,  B01D 53/34 120 ,  B01J 20/04 ,  B01J 20/06