不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311732
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161852
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】ベリファイ読み出し電圧を変えることなく多値情報を読み出すことができ、ベリファイ読み出し時間の短縮をはかり得るNANDセル型EPROMを提供すること。【構成】半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートCG(CG1〜CG8)を積層して構成され、電気的書き替えを可能としたメモリセルM(M1〜M8)を直列接続してなるNANDセルをマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有するEEPROMにおいて、メモリセルMはしきい値で3以上の複数のデータを多値記憶するものであり、データ読み出し時にメモリセルMに接続されるビット線BLを該メモリセルMを介して充電し、かつメモリセルMの多値データを多値レベルの電位としてビット線BLに出力し、充電された多値レベルのビット線電位をセンスアンプによりセンスすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体層上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層して構成され、電気的書き替えを可能としたメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルに接続されるビット線を該メモリセルを介して充電するしきい値検出手段と、前記しきい値検出手段よって充電されたビット線の電位をセンスするセンスアンプとを備え、前記しきい値検出手段によるビット線電位は、前記メモリセルのしきい値によって決定されるよう制御される、ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/04 , G11C 16/06

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 308 , G11C 17/00 510 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-121696
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-053731 出願人：株式会社東芝
特開昭59-063095

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