半導体素子スタック

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130916
公開番号（公開出願番号）：特開平8-331835
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】各素子ポスト面での圧接力分布をほぼ均等とする構造を実現する。【構成】GTO8のポスト径をφD2、フリーホイリングダイオード9のポスト径をφD1、GTO8とフリーホイーリングダイオード9に挟まれた水冷ヒートシンク15の厚みをtFin 、この水冷ヒートシンク15の冷却水溝の高さをhとした場合、φD2-φD1<2×(tFin -h)の関係が成立するように、GTO8とフリーホイーリングダイオード9と水冷ヒートシンク15を選定する。

請求項（抜粋）：

ポスト径の異なる複数個の平型半導体素子とこれらの半導体素子を冷却する冷却水溝を有する複数個の冷却体とを積層させ、適所に主回路接続用の端子を備えた積層体と、この積層体を圧接保持する圧接保持部とからなる半導体素子スタックにおいて、前記複数個の冷却体のうち任意の冷却体と、前記冷却体を介して隣合う第1の平型半導体素子と第2の平型半導体素子の関係が、【数1】φD2-φD1<2×(tFin -h)φD1:第1の平型半導体素子のポスト径φD2:第2の平型半導体素子のポスト径tFin :第1と第2の平型半導体素子に挟まれた冷却体の厚さh :第1と第2の平型半導体素子に挟まれた冷却体の冷却水溝の高さとなることを特徴とする半導体素子スタック。

IPC (3件)：

H02M 1/00 , H02M 7/04 , H02M 7/48

FI (4件)：

H02M 1/00 R , H02M 7/04 D , H02M 7/04 C , H02M 7/48 Z

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