特許
J-GLOBAL ID：200903068201018357
二次電池装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
児玉 俊英 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143977
公開番号（公開出願番号）：特開2003-339122
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 スイッチング損失が低減でき、装置を小型化できる二次電池装置を得ることを目的とする。【解決手段】 複数個直列に接続された二次電池1と、各二次電池1にそれぞれ並列接続され、スイッチング素子2を有するバイパス回路10とを備えた二次電池装置において、スイッチング素子2をワイドギャップ半導体、SiC(シリコンカーバイド)、または、GaN(窒化ガリウム)、または、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)にて形成するものである。
請求項（抜粋）：
複数個直列に接続された二次電池と、上記各二次電池にそれぞれ並列接続され、スイッチング素子を有するバイパス回路とを備えた二次電池装置において、上記スイッチング素子をワイドギャップ半導体にて形成することを特徴とする二次電池装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02J 7/02 H
, H01M 10/44 P
5G003AA01
, 5G003BA03
, 5G003CA14
, 5G003CC02
, 5G003FA04
, 5G003GA07
, 5H030AA06
, 5H030AS08
, 5H030BB01
, 5H030FF43
