特許

J-GLOBAL ID：200903068205161766

半導体装置の製造方法

発明者： 太田 順道 ,  石川 修 ,  東 千夏 ,  柳原 学 ,  横山 隆弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180837
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029378
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 ボンディング不良を生じずにかつドライエッチング工程のプロセスマージンの大きい半導体装置の製造工程を提供する。【構成】 砒化ガリウム基板上にボンディング用パッドを形成する工程と、上記砒化ガリウム基板上から上記パッド上にかけて表面保護膜を形成する工程と、ドライエッチング方法を用いて上記砒化ガリウム基板上の上記表面保護膜を除去してスクライブラインを形成し、次にドライエッチング方法を用いて上記パッド上の上記表面保護膜を除去してボンディング領域を形成する工程とを備えたもの。あるいは上記最終二工程の順序を逆にしたもの。【効果】 ボンディング不良を生じず、かつプロセスマージンを大きくとることができ、プロセス最終工程および組立工程での歩留まり向上に寄与する。

請求項（抜粋）：

砒化ガリウム基板上にボンディング用パッドを形成する工程と、上記砒化ガリウム基板上から上記パッド上にかけて表面保護膜を形成する工程と、ドライエッチング方法を用いて上記砒化ガリウム基板上の上記表面保護膜を除去してスクライブラインを形成し、次にドライエッチング方法を用いて上記パッド上の上記表面保護膜を除去してボンディング領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/78