コンタクトホールの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土屋勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-224793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053190
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】十分な大きさのテーパ部を有すると共に設計値に近い寸法で且つ微細なコンタクトホールを形成する。【構成】レジスト膜13に開孔14を形成した後、紫外線21を照射してレジスト膜13のガス抜きを行い、As+ 22をイオン注入してレジスト膜13に硬化層23を形成する。そして、レジスト膜13をマスクにして、プラズマエッチングでテーパ部16を形成し、異方性エッチングでコンタクトホール17を形成する。レジスト膜13に硬化層23を形成しているので、プラズマエッチングや異方性エッチングの際にレジスト膜13が後退しない。しかも、レジスト膜13のガス抜きを行っているので、As+ 22をイオン注入しても、プラズマエッチング時にレジスト膜13が破裂しない。

請求項（抜粋）：

形成すべきコンタクトホールのパターンの開孔を層間絶縁膜上のレジスト膜に形成する工程と、前記レジスト膜の表面に対して斜めの方向からこのレジスト膜にイオンを注入して、前記表面と前記開孔の内側面とに硬化層を形成する工程と、前記硬化層を形成した後に、前記レジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜の厚さ方向の一部をプラズマエッチングして、この層間絶縁膜にテーパ部を形成する工程と、前記プラズマエッチングの後に、前記レジスト膜をマスクにして前記層間絶縁膜の厚さ方向の残部を異方性エッチングして、前記テーパ部を有する前記コンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成する工程とを有するコンタクトホールの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-292626
特開平2-039429
特開平2-054526

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