特許

J-GLOBAL ID：200903068214768070

半導体製造装置

発明者： 池田 文秀 ,  三部 誠
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045811
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243813
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】サセプタを具備した半導体製造装置に於いて、前記サセプタに簡単な加工で而も高温迄スリップの発生を抑制できる受載部を形成するものである。【解決手段】サセプタ6のウェーハ受載部が凹部11で形成され、該凹部にはウェーハと同心でウェーハ外径より小さな円形の接合稜線15を形成し、支持態様で曲げモーメントの発生を抑制し、スリップの発生を防止する。

請求項（抜粋）：

サセプタを具備する半導体製造装置に於いて、サセプタのウェーハ受載部が凹部で形成され、該凹部にはウェーハと同心でウェーハ外径より小さな円形の接合稜線を形成したことを特徴とする半導体製造装置。

Fターム (7件)：

5F031CA02 ,  5F031HA07 ,  5F031HA08 ,  5F031HA37 ,  5F031MA28 ,  5F031PA13 ,  5F031PA20