特許

J-GLOBAL ID：200903068219414810

半導体装置

発明者： 神力 博 ,  貝塚 健志 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092961
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310604
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 書き込み電圧で均一に絶縁破壊されるアンチフューズを提供し、これが用いられる半導体装置の信頼性を高める。【構成】 第一の金属配線21と第二の金属配線23の間に形成された絶縁層24と、この絶縁層24に形成された接続孔25と、この接続孔25に形成され前記第一の金属配線21と第二の金属配線23の間を絶縁する絶縁膜27と、で構成されるアンチフューズを複数有する。絶縁膜27は、書き込み電圧を印加することにより相転移して導電性となる材料であるGe10Te50As30で構成する。第一の金属配線21と第二の金属配線23の間に書き込み電圧を印加すると、電圧が印加された非晶質絶縁膜27が結晶化し結晶Jが生成される。この結晶Jは導電性であり、これにより第一の金属配線21と第二の金属配線23とが接続される。

請求項（抜粋）：

第一の金属配線と第二の金属配線の間に形成された絶縁層と、この絶縁層に形成された接続孔と、この接続孔に形成され前記第一の金属配線と第二の金属配線の間を絶縁する絶縁膜と、で構成されるアンチフューズを複数有する半導体装置において、前記絶縁膜は、書き込み電圧を印加することにより相転移して導電性となる材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/118 ,  H01L 21/3205 ,  C01B 19/04

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/82 M ,  H01L 21/88 M