特許
J-GLOBAL ID：200903068224041399

半導体装置及びその製造方法

発明者：
三浦 晃徳

三浦 晃徳 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (3件)： 小林 和憲 ,  飯嶋 茂 ,  小林 英了
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-134131
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288504
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】製造コストを上げることなく配線低抵抗を下げる。【解決手段】配線方向に延在し、かつ配線方向に直交する幅方向に複数配列されたダミー配線50を、半導体基板30上にゲート絶縁膜36を介して設ける。ダミー配線50の上方に、絶縁膜(層間絶縁膜37、第1及び第2保護膜39,40)を介して信号配線6を形成する。これにより、信号配線6の幅方向に沿う断面形状がダミー配線50の形状が反映されて蛇行し、断面積が増大する。構成が簡素でかつ製造が容易であるため、製造コストを上げることなく配線低抵抗を下げることができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられ、配線方向に延在し、かつ前記配線方向に直交する幅方向に複数配列されたダミー配線と、 前記配線方向に延在するように、前記複数のダミー配線の上方に絶縁膜を介して形成され、前記幅方向に沿う断面形状が前記複数のダミー配線の形状が反映されて蛇行した信号配線と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L27/14 B ,  H01L27/14 A
Fターム (21件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA20 ,  4M118CA32 ,  4M118CB14 ,  4M118DA13 ,  4M118DA18 ,  4M118DA28 ,  4M118DB06 ,  4M118DB08 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA02 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191509   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326054   出願人：日本電気株式会社
  • 固体撮像装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-109180   出願人：松下電器産業株式会社

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