特許
J-GLOBAL ID：200903068225441773
エッチング工程およびこれを用いた静電マイクロスイッチ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052548
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267926
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 温度変化や温度刺激に強く、フッ化水素酸によるエッチングや機械的な刺激にも耐え得る耐性の強い窒化シリコン膜による静電マイクロスイッチのエッチング工程、および該工程により得られる再現性の良い自由度のある静電マイクロスイッチを提供する。【構成】 窒化シリコン膜の応力を3×109 dyn/cm2 以下として基板上に酸化シリコン膜とパターニングされた多結晶シリコン膜を形成し、該酸化シリコン膜下部に形成した窒化シリコン膜をエッチング停止層として、酸化シリコン膜をエッチングする工程(および酸化シリコン膜がスパッタ法によるもの、または窒化シリコン膜が低圧化学気相成長法によるもの)により、再現性の良い自由度のある静電マイクロスイッチが提供される。
請求項（抜粋）：
エッチングマスクあるいはエッチング停止層として窒化シリコン膜を用いるエッチング工程において、該窒化シリコン膜の応力(σ)が、【数1】|σ|≦3×109 dyn/cm2であることを特徴とするエッチング工程。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, C23F 4/00
, H01L 29/84
