特許
J-GLOBAL ID:200903068228336091

含フッ素陽イオン交換膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-256823
公開番号(公開出願番号):特開平8-120100
出願日: 1994年10月21日
公開日(公表日): 1996年05月14日
要約:
【要約】【目的】苛性ソーダの濃度シフト等の電解条件の変動に対しても、高い電解性能を維持できる電解用陽イオン交換膜を提供する。【構成】スルホン酸基を有する含フッ素重合体の第1のフィルムと、(a)CF2 =CF2 /(b)CF2 =CFOC3 F7 /(c)CF2 =CFO(CF2 )3 COOCH3 三元共重合体の第2のフィルムとが積層された含フッ素陽イオン交換膜。但し、三元共重合体中のモル比b+c/(a+b+c)=0.12〜0.25、b/(b+c)=0.02〜0.25である。
請求項(抜粋):
スルホン酸基を有する含フッ素重合体の第1のフィルムと、下記の(A)、(B)、(C)の繰返し単位を有するカルボン酸基を交換基とする含フッ素重合体からなり、上記第1のフィルムより小さい厚み5〜50μmをもち、かつ比電気抵抗の大きい第2のフィルムとを積層せしめたことを特徴とする含フッ素陽イオン交換膜。【化1】ここで、Rf は炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基、Mは水素又はアルカリ金属であり、かつB+C/A+B+C(モル比)は、0.12〜0.25、B/B+C(モル比)は0.02〜0.25である。
IPC (7件):
C08J 5/22 101 ,  C08J 5/22 CEW ,  B01D 71/32 ,  B01D 71/82 500 ,  B01J 47/12 ,  C25B 13/08 302 ,  C08L 27:12

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