特許
J-GLOBAL ID：200903068229064257
サーミスタ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-083605
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283809
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 生産性に優れ、かつ良好な状態で基板上に実装することができるサーミスタ素子及びその製造方法を得る。【解決手段】 サーミスタ素体1の上にオーミック接触したコンタクト層2及び4を設け、その上に接続用外部電極層3及び5を設けて、サーミスタ素体1上に所定距離隔てた第1の電極及び第2の電極とし、接続用外部電極層3及び5の電極面積を、コンタクト層2及び4の電極面積よりも小さくしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
サーミスタ素体の一面上に所定距離隔てて第1,第2の電極が設けられており、前記第1,第2の電極のそれぞれが、前記サーミスタ素体にオーミック接触したコンタクト層と、該コンタクト層上に設けられる接続用外部電極層とから構成されており、前記接続用外部電極層の電極面積が前記コンタクト層の電極面積よりも小さくなるように設けられていることを特徴とするサーミスタ素子。
IPC (3件)：
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01C 17/28
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01C 17/28
