特許

J-GLOBAL ID：200903068230095131

窒素注入C60フラーレン薄膜およびその作製方法

発明者： 久保田 弘 ,  町 英一郎
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 田村 敏朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-060940
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 微細構造半導体プロセスにおける電子線リソグラフィー用ネガレジストとして使用に適した薄膜を作製すること。【解決手段】 本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。これにより、C60フラーレン薄膜中に一様に窒素イオンを分布させることができる。この一様に窒素イオンを分布した窒素注入C60フラーレン薄膜は電子線露光前後のエッチングレートの差、基板に対する選択比がが著しく高いので、電子線リソグラフィー用ネガレジストに適している。

請求項（抜粋）：

窒素イオンをC60フラーレン薄膜に注入するにあたり、フラッシュ法による成膜速度調節により、C60フラーレン薄膜中に窒素イオンを一様に分布させたことを特徴とする窒素注入C60フラーレン薄膜。

IPC (4件)：

C23C 14/48 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 14/06 ,  G03F 7/004 531

FI (4件)：

C23C 14/48 D ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 14/06 F ,  G03F 7/004 531

Fターム (15件)：

2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BD01 ,  2H025EA06 ,  2H025EA10 ,  2H025FA20 ,  2H025FA41 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4K029AA06 ,  4K029BA34 ,  4K029BD00 ,  4K029CA09