半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019122
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232409
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】表面電界緩和のためのフィールドプレートに、Al電極形成後にも実施できる低温形成可能な抵抗性薄膜を用いる。【構成】窒素とアルゴンの混合ガスを用い、シリコンをターゲツトとした反応性スパッタ法により成膜するSi過剰の窒化シリコンよりなる抵抗性薄膜によりフィールドプレートを形成する。さらに、混合ガスの混合比を変えるだけで連続的に成膜できるSi3 N4 よりなる絶縁性薄膜によりその上を最終保護膜とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第一導電形層の表面層に第二導電形領域を有し、この第二導電形領域に主電極の一つが接触し、半導体基板表面への第二導電形領域と第一導電形層との間の接合の露出部を覆う絶縁膜上に、前記主電極に接触するフィールドプレートを前記接合への逆電圧印加時の電界緩和のために備えたものにおいて、フィールドプレートがSi3 N4 に比してSi過剰の組成を有する窒化シリコンよりなる抵抗性薄膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 K , H01L 29/78 321 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭62-067871
特開昭58-053860
特開平4-130631

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