特許

J-GLOBAL ID：200903068236436836

半導体電力変換装置

発明者： 須田 秀和
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391818
公開番号（公開出願番号）：特開2002-199700
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 IGBTのドライブにはゲート抵抗を設けてサージ電圧とスイッチング損失をトレードオフの関係で軽減するため、装置の運転状態によってはこれらの抑制が不十分なものとなる。【解決手段】 制御装置CONは、インバータの負荷電流の大小に応じてスイッチSWを開閉し、IGBTのゲート抵抗の抵抗値を切り替え、この切り替えで素子のサージ電圧の抑制とスイッチング損失の抑制の一方の度合いを高める。また、ゲート抵抗切り替えは、負荷電流の大小、素子のスイッチング周波数の大小、素子の温度の高低のいずれか1つを基にした切り替え、またはそれらの組み合わせを基にした切り替えを含む。

請求項（抜粋）：

主回路を自己消弧形半導体素子で構成し、該素子のドライブ回路はゲート抵抗を介して素子にゲート電圧を印加し、ゲート抵抗の抵抗値の大小で素子のサージ電圧とスイッチング損失にトレードオフの関係をもたせた半導体電力変換装置において、装置の運転状態に応じて前記ゲート抵抗の抵抗値を切り替え、この切り替えで素子のサージ電圧の抑制とスイッチング損失の抑制の一方の度合いを高めるゲート抵抗切り替え手段を備えたことを特徴とする半導体電力変換装置。

IPC (4件)：

H02M 1/08 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/64

FI (4件)：

H02M 1/08 A ,  H02M 1/00 F ,  H03K 17/16 Z ,  H03K 17/64

Fターム (30件)：

5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740JA01 ,  5H740KK01 ,  5H740LL01 ,  5H740MM01 ,  5H740MM08 ,  5H740MM11 ,  5J055AX23 ,  5J055AX34 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX13 ,  5J055CX20 ,  5J055DX04 ,  5J055DX10 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EX06 ,  5J055EX22 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EZ66 ,  5J055FX12 ,  5J055FX17 ,  5J055FX36 ,  5J055GX01