特許
J-GLOBAL ID：200903068247723900
成膜処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025686
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190471
出願日： 1992年01月16日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】[目的]被処理基板の不所望な部分への成膜を防止または除去して、パーティクルの発生源をつくらないようにする。[構成]半導体ウエハ12の外周側に、エッチングガス案内板30が断面L形の環状支持板32の内周縁部に取付固定される。このエッチングガス案内板30は半導体ウエハ12の外周に沿って延び、半導体ウエハ12とは接触せず、半導体ウエハ12の外周縁部との間に所定の間隙Gを形成している。また、エッチングガスを導入するためのガス管またはチューブ34が処理室10の下部に引かれ、そのガス吐出口34aが遮光板20の内側に位置している。ガス吐出口34aより出たエッチングガスは上昇して、半導体ウエハ12の裏面に沿って半導体ウエハ12の外周端側へ周り、エッチングガス案内板30で案内されながら上記間隙Gを通って半導体ウエハ12の表面側へ出て、排気口26へ送られる。
請求項（抜粋）：
被処理基板上に化学的または物理的な方法によって被膜を堆積せしめる成膜処理装置において、前記被処理基板の所定の部分と間隙をあけて対向するように配置されたエッチングガス案内手段と、前記間隙にエッチングガスを流すエッチングガス供給手段とを具備したことを特徴とする成膜処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
