特許
J-GLOBAL ID:200903068254572755

赤外線センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-009420
公開番号(公開出願番号):特開2001-201397
出願日: 2000年01月18日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課題】 熱電対を高密度に配置でき、熱吸収層で生じた熱を効率よく熱電対に伝えることができ、機械的強度が強い赤外線センサを提供する。【解決手段】 サポート膜3と中空部分2を有してサポート膜3を支持する基板1とを含んで構成された支持部材と、中空部分2の上部から基板1の上部にわたって形成されたポリシリコン膜4と、ポリシリコン膜4上に形成され、中空部分2の上部の第1のコンタクトホールおよび基板1の上部の第2のコンタクトホールを有するSiO25と、第1のコンタクトホールを介してポリシリコン膜4と接続され、第2のコンタクトホールを介して隣接するポリシリコン膜4と接続されるアルミニウム膜6と、第1のコンタクトホールの上部を覆うように中空部分2の上部に形成された熱吸収層8とを備え、アルミニウム膜6が、中空部分2の上部において当該対応するポリシリコン膜4とSiO25を介して積層されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
絶縁材料からなるサポート膜と中空部分を有して前記サポート膜を支持する基板とを含んで構成された支持部材と、前記中空部分の上部から前記基板の上部にわたって形成され、所定の導電型を有するポリシリコン配線層と、前記ポリシリコン配線層上に形成され、前記中空部分の上部に形成された第1のコンタクトホールおよび前記基板の上部に形成された第2のコンタクトホールを有する絶縁膜と、前記第1のコンタクトホールを介して前記ポリシリコン配線層と接続され、前記第2のコンタクトホールを介して隣接する前記ポリシリコン配線層と接続されるアルミニウム配線層と、前記第1のコンタクトホールの上部を覆うように前記中空部分の上部に形成された赤外線吸収層とを備え、前記第1のコンタクトホールを介して対応するポリシリコン配線層と接続される前記アルミニウム配線層が、前記中空部分の上部において当該対応するポリシリコン配線層の上層となるよう前記絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする赤外線センサ。
IPC (2件):
G01J 1/02 ,  H01L 35/32
FI (2件):
G01J 1/02 C ,  H01L 35/32 Z
Fターム (8件):
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA14 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2G065CA13 ,  2G065CA27
引用特許:
審査官引用 (4件)
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