特許

J-GLOBAL ID：200903068255942963

蒸着源、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

発明者： 広瀬 紳一
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-295027
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 レジストを用いないで、微細なパターンを加工する。【解決手段】 高融点金属抵抗体等の加熱手段13と、加熱手段13に設けられた加熱領域制限手段12と、一部が加熱手段13に接して配置された蒸着材料14とから蒸着源を構成する。加熱領域制限手段12は、加熱手段13から放出される熱エネルギを所定の領域のみに限定する。この加熱領域制限手段12により、加熱手段13から放出された熱エネルギが、蒸着材料14のうちで特定部分のみに与えられる。加熱領域制限手段12として、熱的絶縁膜12を用いる。この熱的絶縁膜12の一部に開口部15を設け、この開口部15により、加熱手段13からの熱エネルギの選択的放出領域が画定される。開口部15の内部の加熱手段13に接した蒸着材料14のみが、選択的に蒸発し、被蒸着基板に蒸着される。

請求項（抜粋）：

加熱手段と、該加熱手段に設けられ、該加熱手段から放出される熱エネルギを、所望のパターンに対応した特定領域のみに限定する加熱領域制限手段と、前記加熱手段から放出された熱エネルギにより、前記所望のパターンに対応した特定部分のみが選択的に加熱されるように、少なくとも一部が前記加熱手段に接して配置された蒸着材料とからなることを特徴とする蒸着源。

IPC (5件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/26 ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (6件)：

C23C 14/24 B ,  C23C 14/24 S ,  C23C 14/26 A ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/285 P

Fターム (27件)：

4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA08 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB07 ,  4K029DB13 ,  4K029DB18 ,  4K029DB20 ,  4K029DB21 ,  4K029HA00 ,  4M104DD34 ,  4M104DD46 ,  5F103AA01 ,  5F103BB42 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN10 ,  5F103RR08 ,  5F103RR10