特許

J-GLOBAL ID：200903068256382597

薄膜太陽電池の評価方法および薄膜太陽電池

発明者： 大山 秀明 ,  辻 美輪 ,  新本 哲也
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203814
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036111
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 薄膜太陽電池の評価を製造工程中に非破壊で行い、抜き取り評価による歩留まりの低下をなくす。【解決手段】 薄膜太陽電池が具備する半導体層の構成元素の格子振動による赤外吸収ピークを測定し、そのピークの半値幅を求め、その半値幅により薄膜太陽電池の性能を評価する。半導体層が少なくとも硫黄とカドミウムからなるときは、300±10cm-1のピークの半値幅が10cm-1以下の薄膜太陽電池は優れた性能を有する。

請求項（抜粋）：

薄膜太陽電池が具備する半導体層の構成元素の格子振動による赤外吸収ピークを測定し、そのピークの半値幅を求め、その半値幅から薄膜太陽電池の性能を評価する薄膜太陽電池の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 31/04 K ,  H01L 21/66 X

Fターム (9件)：

4M106AA10 ,  4M106BA08 ,  4M106CA17 ,  4M106DH13 ,  5F051AA09 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051KA09 ,  5F051KA10