特許
J-GLOBAL ID：200903068257907030
光起電力素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067794
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264816
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 複雑な工程を経ることなく部分的に高濃度な不純物領域を形成する光起電力素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 この発明の光起電力素子の製造方法は、表面に部分的に凹凸部9が設けられたp型結晶系シリコン基板1上に、n型の不純物を均一に含有した結晶粒と非晶質とが混在したシリコン半導体膜2aを設け、このシリコン半導体膜2a上に真性非晶質シリコン半導体膜2bを堆積した後、熱処理を施し、凹凸部9を施した部位上のシリコン半導体膜に不純物を集中させて結晶化させ、n型結晶系シリコン半導体膜2内に部分的にn+型シリコン半導体領域3を形成する。
請求項（抜粋）：
表面に部分的に凹凸が設けられた一導電型の結晶系シリコン基板上に、他導電型の不純物を均一に含有した結晶粒と非晶質とが混在した第1のシリコン半導体膜を設け、このシリコン半導体膜上に真性非晶質シリコンからなる第2のシリコン半導体膜を堆積した後、熱処理を施し、前記凹凸を施した部位上の第1及び第2のシリコン半導体膜に不純物を集中させて結晶化させることを特徴とする光起電力素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/20
, H01L 31/04 H
