特許
J-GLOBAL ID：200903068260799206
集束イオンビーム加工装置および加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-167579
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029535
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】集束イオンビーム装置を用いた加工修正において、特に2次粒子像では認識できない下層配線が加工対象となった場合に、イオンビーム照射位置と加工位置との位置合わせを精度良く行なう。【構成】集束イオンビーム加工において、光学顕微鏡による光学像から変換したデジタル画像と、イオンビームによる2次粒子像とを、両像に現れる表面側の配線層を目安に重ね合せる。2次粒子像には現れない深部の配線層をこの重ね合せで正確な位置認識され、その加工箇所に集束イオンビームを照射して所定の加工を行う。
請求項（抜粋）：
集束イオンビームにより加工を行う試料に集束イオンビームを照射するイオンビーム照射部と、前記試料からの2次粒子を検出する検出部と、前記検出部による検出情報を2次粒子像に変換する2次粒子画像処理部と、光学顕微鏡と、前記光学顕微鏡の像をデジタル画像に変換し、画像の拡大縮小を可能にする光学画像処理部と、前記2次粒子像でリアルタイムに前記試料を観察しながら、同一画面で、前記デジタル画像と前記2次粒子像を同時あるいは交互に重ね合わせ、表示できる画像表示部とを具備したことを特徴とする集束イオンビーム加工装置。
IPC (3件)：
H01J 37/22 502
, H01J 37/256
, H01J 37/30
