特許

J-GLOBAL ID：200903068267379237

Bi層状強誘電体薄膜を有する電極構造、その形成方法および強誘電体薄膜メモリ素子

発明者： 足利 欣哉
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185485
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031791
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】 結晶配向性が良くかつIr酸化物層と金属層との間の剥離が生じないBi層状強誘電体薄膜を有する電極構造であること。【解決手段】 Bi層状強誘電体薄膜24を有する電極を形成する場合、金属層14とBi層状強誘電体薄膜24との間に、金属層側からTiシリサイド層16、Ir-Ti合金層18、Ir層20および結晶性Ir酸化物層22を順次に設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも絶縁膜、金属層およびBi層状強誘電体薄膜を順次に形成したBi層状強誘電体薄膜を有する電極構造において、前記金属層と前記Bi層状強誘電体薄膜との間に、前記金属層側からチタンシリサイド層、イリジウム-チタン合金層、イリジウム層および結晶性イリジウム酸化物層を順次に設けたことを特徴とするBi層状強誘電体薄膜を有する電極構造。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371