特許

J-GLOBAL ID：200903068270752950

プラズマ処理装置

発明者： 山 崎 智 生
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237223
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波透過窓部材3を介して真空容器4の内部にマイクロ波を導入し、真空容器内4のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物8を処理するようにしたプラズマ処理装置であり、マイクロ波電源から発生したマイクロ波を真空容器4に向けて伝播させる同軸線路1と、同軸線路1を伝播したマイクロ波が変換されるマイクロストリップ線路2とを有する。マイクロストリップ線路2はマイクロ波透過窓部材3の大気側の表面に沿って延設されている。

請求項（抜粋）：

マイクロ波透過窓部材を介して真空容器の内部にマイクロ波を導入し、前記真空容器内のプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して被処理物を処理するようにしたプラズマ処理装置において、マイクロ波電源から発生したマイクロ波を前記真空容器に向けて伝播させる同軸線路と、前記同軸線路を伝播したマイクロ波が変換されるマイクロストリップ線路であって、前記マイクロ波透過窓部材の大気側の表面に沿って延設されたマイクロストリップ線路と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

Fターム (10件)：

5F004AA01 ,  5F004BA09 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BC08 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26