特許

J-GLOBAL ID：200903068276314717

弾性表面波装置

発明者： 花嶋 直之 ,  津々見 修司 ,  米澤 政
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077131
公開番号（公開出願番号）：特開平10-276059
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 安価な単結晶Si基板を用いて、櫛形電極の微細加工を必要とすることなく所望の共振周波数のIC内蔵化可能な高周波対応の広帯域弾性表面波装置を提供する。【解決手段】 単結晶Si基板上にバッファー層を介して圧電体薄膜を形成し、この圧電体薄膜上に導電性膜よりなる櫛形電極を形成した弾性表面波装置。圧電体薄膜はゾルゲル法により形成された厚さ0.03〜5μmのチタン酸鉛薄膜よりなり、必要に応じてバッファー層は、ゾルゲル法により形成された厚さ0.01〜0.2μmのチタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ストロンチウムまたはチタン酸バリウムの薄膜であり、櫛形電極間に電界をかけて分極処理した圧電体薄膜からなる弾性表面波装置。

請求項（抜粋）：

単結晶基板と、該単結晶基板上に形成された圧電体薄膜と、該圧電体薄膜上に形成された導電性膜よりなる櫛形電極とを備えてなる弾性表面波装置において、該単結晶基板が単結晶Si基板であり、該圧電体薄膜は該基板上に形成された誘電体薄膜のバッファー層上に形成されている弾性表面波装置であって、該圧電体薄膜がゾルゲル法により形成された厚さ0.03〜5μmのチタン酸鉛薄膜よりなり、前記櫛形電極間に電界をかけ、該チタン酸鉛薄膜を分極処理することにより圧電体薄膜としたことを特徴とする弾性表面波装置。

IPC (3件)：

H03H 9/25 ,  C01G 23/00 ,  H03H 3/08

FI (3件)：

H03H 9/25 C ,  C01G 23/00 C ,  H03H 3/08