特許
J-GLOBAL ID：200903068277686880
半導体装置のコンタクトホール径の調整方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186502
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037071
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 真空中で紫外線(UV)を照射しながらウエハを加熱(キュア)して、レジスト形状を変化させて、レジストパターン寸法を小さくする。【構成】 半導体装置のコンタクトホール径の調整方法において、半導体基板上のレジスト7にパターニングを行いコンタクトホールを形成する工程と、前記半導体基板を真空中で紫外線を照射して加熱を行い、前記コンタクトホール径を変形させて小さくなるように調整する工程とを施す。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板上のレジストのパターニングを行う工程と、(b)真空中で紫外線を照射して加熱を行い、前記レジストのパターンを変形させて小さくなるように調整する工程と、(c)前記レジストのパターンをエッチングしてコンタクトホールを形成する工程とを施す半導体装置のコンタクトホール径の調整方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
