特許
J-GLOBAL ID：200903068280243786
単結晶引き上げ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173795
公開番号（公開出願番号）：特開平8-034698
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【構成】 通常速度の引き上げ工程Aと、通常速度の60%以下の速度での引き上げ工程Bとを交互に繰り返しながら単結晶シリコン20を引き上げる単結晶引き上げ方法。【効果】 通常速度の60%以下の速度で引き上げる単結晶シリコン21b、22b、...近傍の温度をその都度1300°C以上の所定温度範囲に所定時間保持することができるため、これらの単結晶シリコン近傍部分の原子空孔を所定量以下に減少させることができ、引き上げられた単結晶シリコン20内に酸素析出物の多い層21a、22a、...と少ない層21b、22b、...とを交互に形成することができ、分割箇所22c、23c、...でスライスすると、酸素析出物が素子の活性領域となる表層部には存在しないシリコン基板を形成することができ、酸化膜の耐圧特性に優れたシリコン基板を得ることができる。
請求項（抜粋）：
坩堝内の溶融液から単結晶を引き上げる単結晶引き上げ方法において、通常速度の引き上げ工程と、該通常速度の60%以下の速度での引き上げ工程とを交互に繰り返しながら結晶を引き上げることを特徴とする単結晶引き上げ方法。
IPC (3件)：
C30B 15/20
, C30B 15/00
, H01L 21/208
