特許
J-GLOBAL ID：200903068280871957
レジスト材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285775
公開番号（公開出願番号）：特開平5-127369
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】化学増幅系レジストの解像限界付近での寸法制御性の低下、レジストスカムの発生を防止できるレジスト材料を提供する。【構成】従来の化学増幅系レジストに酸発生剤より生成した酸に対して塩基として働く有機材料、例えばアニリン,ピリジン,イミダゾールあるいはアンモニア誘導体をμモル/グラム程度微量添加することを特徴として構成される。すなわち従来のレジストではマスクパターンを通してレジストを光照射すると図1(a)のような酸濃度分布であるが、図1(b)に示すように微量の塩基性有機物を加えると図1(c)に示す酸濃度と塩基濃度の差の分布となる。【効果】解像限界付近でマスクパターンの光コントラストが低下してもマスクエッヂ部の酸濃度分布を急峻にできるので、寸法制御性が向上する。さらにマスク遮光部に光干渉によって生成した酸は塩基物によって完全に中和されるので、レジストスカムの問題も解消される。
請求項（抜粋）：
感光性酸発生剤より生成した酸の触媒反応を利用してレジストの溶解性を変化させる化学増幅系レジストにおいて、レジスト中に発生した酸に対して塩基として働く有機材料を添加することを特徴とするレジスト材料。
IPC (6件)：
G03F 7/004 503
, G03F 7/004 501
, G03F 7/028
, G03F 7/038 505
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
