特許

J-GLOBAL ID：200903068282998776

半導体装置の製造方法

発明者： 川崎 清弘 ,  堀田 定吉 ,  斉藤 弘樹 ,  白井 繁信 ,  永田 清一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208424
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074368
出願日： 1982年10月12日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 非晶質シリコン半導体装置の耐熱性を向上させ、パシベーション絶縁層の付与を可能とする【構成】 不純物を含む非晶質シリコン層5への接続に耐熱金属層を採用する。【効果】 パシベーション絶縁層または層間絶縁層の形成時または形成後の熱処理温度が300°Cを越えることが可能となり、半導体装置の工業化が達成された。

請求項（抜粋）：

シリコンを主成分とする非晶質半導体を含む第1の層上に、シリコンを主成分としドナまたはアクセプタの何れかとなる不純物を含む非晶質半導体を含有する第2の層を形成する工程と、前記第2の層上に、200°C以上の加熱によって前記第2の層と柱状合金を形成しない第1の金属層を形成する工程と、200°C以上の温度に加熱する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-135968
  
• 特開昭51-147290